Toshiba推出TOLL封装650V第三代SiC MOSFET

- 三款新器件提升工业设备效率与功率密度 -

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)推出三款650V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，搭载最新[1] 第三代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装。这些新器件适用于工业设备，如开关式电源和用于光伏发电机的功率调节器。“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”这三款MOSFET即日起开始批量出货。

新产品是Toshiba第三代SiC MOSFET中采用通用表面贴装TOLL封装的型号，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，器件体积减少80%以上，设备功率密度也得以改善。

TOLL封装还具有比通孔封装更低的寄生阻抗[2]，有助于降低开关损耗。作为四端子[3]封装，可将开尔文连接用作栅极驱动的信号源端子。这可以减少封装内的源极引线电感的影响，实现高速开关性能；以TW048U65C为例，其开通损耗和关断损耗分别比现有Toshiba产品[5]降低约55%和25%[4]，有助于降低设备功率损耗。

Toshiba将继续扩展产品阵容，为提升设备效率和增加功率容量做出贡献。

注：
[1] 截至2025年8月。
[2] 电阻、电感等。
[3] 具有靠近FET芯片连接的信号源端子的产品。
[4] 截至2025年8月，Toshiba测量值。详情请参见Toshiba网站发布版本中的图1。
[5] 采用无开尔文连接TO-247封装的具有同等电压和导通电阻的650V第三代SiC MOSFET。

应用领域

• 服务器、数据中心、通信设备等的开关式电源

• 电动汽车充电站

• 光伏逆变器

• 不间断电源

产品特点

• 表面贴装TOLL封装：支持设备小型化与自动化组装。开关损耗低。

• Toshiba第三代SiC MOSFET：
  - 优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻良好的温度依赖性。
  - 低漏源导通电阻×栅漏电荷积
  - 低二极管正向电压：VDSF=-1.35V（典型值）(VGS=-5V)

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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。

该公司在全球拥有19,400名员工，以实现产品价值最大化，与客户密切合作共创价值和开拓新市场为宗旨。该公司以建设并促进更美好的未来，让全世界的所有人受益为目标。

Toshiba：TOLL封装650V第三代SiC MOSFET。